普冉半导体股份有限公司现将公司的新产品及技术研发进展情况披露如下

普冉半导体股份有限公司关于新产品及技术研发进展的自愿性披露公告本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载，误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性，准确性和完整性承担个别及连带责任。

为便于广大投资者了解公司新产品及技术研发进展情况，普冉半导体股份有限公司现将公司的新产品及技术研发进展情况披露如下:

一，新产品及技术研发进展情况

存储器芯片方向全面展开:

1，公司采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NOR Flash全系列产品研发完成并成为量产交付主力，晶圆良率达到95%以上，实现了对公司原有55nm工艺节点下的NOR Flash产品的升级替代，产品竞争力及晶圆产出率有效提升其中L系列64Mb NOR Flash产品完成海外手机头部厂商TWS蓝牙耳机认证技术储备的40nm以下新一代工艺完成试流片，进入产品和工艺优化阶段

2，公司采用浮栅ETOX工艺结构NOR Flash中大容量PY系列产品首颗开始量产出货，应用于可穿戴和安防等市场。

3，车载EEPROM产品完成了AEC—Q100标准的全面考核，首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付。

4，超大容量EEPROM系列开发完成，F系列产品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量，其中2Mb产品批量应用于高速宽带通信和数据中心领域与代工厂战略合作开发的浮栅下一代技术进入测试芯片开发阶段

5，新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型，已实现量产支持下一代手机主控平台的1.2V摄像头模组EEPROM L系列的128Kb产品率先进入市场，完成平台认证，并小批量交付首个手机客户项目

存储+战略布局推进:

模拟产品方向上，内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片产品进入

大批量供货支持下一代主控平台的1.2V PD系列音圈马达驱动芯片产品完成开发，流片和测试，性能指标均符合规范要求，产品进入客户送样阶段微控制器方向上，首颗32位微控制器芯片产品功能和性能测试通过，进入客户送样阶段

二，新产品及技术研发对公司的影响

1，新产品可面向工控，车载等应用领域，丰富了公司产品线，有助于巩固和提升公司的核心竞争力，形成新的增长点，对公司未来的发展将产生积极的影响，

2，新产品的开发，使得公司有机会服务更多的头部客户，提升公司的市场地位，立足国内市场，参与全球市场竞争，

3，在40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术的创新技术储备，使公司在存储器芯片及延伸领域均具备持续竞争力。

三，相关风险提示

公司新产品，在向车载，工控等较高端市场，以及向各领域头部客户导入的所需时间较长，大批量销售尚需一定的周期和前期技术服务投入，存在不确定性，同时面临着未来市场推广与客户开拓不及预期的风险敬请广大投资者注意投资风险，理性投资

特此公告。

普冉半导体股份有限公司董事会

2022年03月21日

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